Просто додай затвор

Кремнієва планарна технологія виготовлення електронних мікросхем вичерпала себе. Розмір одного елемента в сучасних комерційних процесорах становить 22 нм, а теоретично досяжна межа для кремнію — близько 12 нм.

Це означає, що вперше за два десятиліття може припинитися виконання закону Мура, який припускає подвоєння щільності транзисторів раз на два роки. А слідом за цим сповільниться й прогрес комп’ютерної техніки.

Із ситуації є декілька виходів: застосування нових матеріалів (таких як графен або вуглецеві нанотрубки) або нової топології мікросхем. Але до минулої середи обидві ці можливості були суто теоретичними. І от 4 травня фахівці компанії Intel оголосили про те, що технологія виготовлення тризатворних об’ємних транзисторів ними не тільки розроблена, а й активно готується до комерційного впровадження.

За словами Марка Бора, старшого наукового співробітника Intel, такі мікросхеми продуктивніше від звичайних на 37% і споживають удвічі менше енергії. Але найголовніше — тепер межу нарощування кількості транзисторів на кристалі надовго знято. Тривимірні транзистори можуть мати більше контактних площадок, тому нова технологія являє собою не тільки кількісний, а і якісний стрибок.

У НДДКР із тривимірних транзисторів американська компанія вклала $8 млрд, ще 5 млрд були інвестовані в будівництво нового заводу в Аризоні.