У Львові відкрили першу в Україні дільницю з виробництва наногетероструктур
У грудні на базі львівського науково-виробничого підприємства «Карат» (дочірнє підприємство ПАТ «Концерн-Електрон», м. Львів) почала працювати перша в Україні дільниця з промислового випуску наногетероструктур. Сферами їх застосування може бути виробництво над’яскравих світлодіодів, потужних надвисокочастотних транзисторів для стільникового і супутникового зв’язку, концентраторних сонячних батарей, різноманітні галузі науки і техніки, медицина. В основу проекту покладено розробки науково-виробничого концерну «Наука» (м. Київ).
— Йдеться про відновлення цілої галузі, яку ми втратили, — сказав під час урочистого відкриття дільниці генеральний директор НВК «Наука» Сергій Ларкін. — І ось тільки тепер ми нарешті можемо сказати, що Україна має власне виробництво світлодіодів. А це ставить нас урівень із тими країнами світу, які мають власне масове виробництво новітньої нанопродукції. Робитимемо це поступово, обережними кроками і у великих наукових центрах.
Проект реалізується НВК «Наука» і НВП «Карат» у рамках Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» на 2010—2014 роки й українсько-російської Програми розвитку співробітництва у сфері нанотехнологій. Зокрема, у НВК «Наука» було знайдено концептуально новий технологічний підхід до керування домішково-дефектною системою епітаксійних шарів, що забезпечує отримання епітаксійних структур А3B5 із високою однорідністю та широким діапазоном змін електрофізичних параметрів.
Одночасно у НВП «Карат» розроблені фізико-хімічні основи універсальних технологій формування епітаксійних оптоелектронних структур, які ґрунтуються на застосуванні впливу рідкісноземельних елементів на процеси кристалізації епітаксійних шарів А3В5. Для цього задіяний єдиний в Україні технологічний комплекс, основою якого є три установки: для осаджування епітаксійного шару на напівпровідникові пластини Veeco D-180LDM MOCVD System, газофазної епітаксії «ГФЕ-Мікро», рідиннофазної епітаксії «ЕВАРС», а також сучасна лабораторія з усім необхідним контрольно-вимірювальним обладнання.
— На основі однієї наногетероструктури можна створити 5—6 тисяч над’яскравих світлодіодів і 3—4 тисячі НВЧ-транзисторів, — повідомив генеральний директор НВП «Карат» Микола Ваків. — Якщо ми вийдемо на повний цикл їх виробництва (а у нас складено саме такий бізнес-план), то зможемо виготовляти близько 20 мільйонів світлодіодів щорічно. Це майже мільйон енергоощадних світильників і, скажімо, 20—30 мільйонів транзисторів для телефонів мобільного зв’язку.
Сукупність технологічних можливостей комплексу дозволяє виготовляти різноманітні за своїми характеристиками матеріали, що є базовими для мікро- та наноелектроніки. Це дасть змогу наповнити ринок України вітчизняними конкурентоспроможними приладами, а згодом розширити постачання продукції на експорт. Хоча ще на етапі наукових досліджень та експериментальних випробувань комплексу було підписано перший контракт на постачання наногетероструктур в країни Євросоюзу на загальну суму $2,5 млн.
Однак ця технологія потребує дуже великого фінансування. Тільки у створення львівської дільниці вкладено $10 млн. Половину коштів надала держава, решта — приватні інвестиції. Перспектива — створення та відновлення виробництва в Україні твердотільної електроніки та оптоелектроніки. Уже незабаром НВК «Наука» відкриє ще дві такі дільниці й у Києві.
