Группа ученых под руководством Тобиаса Шедлера из Исследовательской лаборатории компании HRL в городе Малибу (США) создала сверхлегкий материал из металлических нанотрубок. Если пластину из него положить на одуванчик — пуховая головка даже не сомнется.
Разработки ученых Донецкого физико-технического института НАН Украины, относящиеся к сфере высоких технологий и представленные на прошедшем недавно в Донецке инвестиционном саммите DID-2011, явно выходят за рамки традиционных проектов. Один из них — «Создание технологии получения нанотитана и производство имплантов из него в Донецком регионе» — сегодня находится на рассмотрении...
Во Всеукраинском реестре технических условий появилось коллоидное наносеребро, разработанное группой харьковских ученых. Как сообщил «УТГ» член-корреспондент Международной академии наук, технологий и инжиниринга Евгений Чмыхун, это наносеребро высокой чистоты и концентрации 40—60 ppm (частей на миллион).
Новая разработка американских ученых позволит микросхемам работать непосредственно со световыми сигналами.
Уникальные свойства графена позволяют рассматривать его как революционный материал, который обеспечит дальнейшее развитие нескольких не связанных между собой, на первый взгляд, технологий.
Быстрая зарядка и высокая удельная мощность — конек конденсаторов. Но они вмещают мало энергии. Батареи же обладают отличной емкостью, но не позволяют быстро себя «заправить». Совместить эти два качества удалось американским физикам.
Малополезная на первый взгляд трехмерная печать может открыть неожиданные перспективы.
Переход от теоретической наноэлектроники к практической прост только на бумаге. В реальности же инженеры уже сегодня столкнулись с серьезной проблемой: для создания графеновых микросхем необходимо разделять проводящие участки каким-то диэлектриком, естественно, таких же наномасштабов.
Киевским ученым удалось создать новые источники излучений, в том числе геликонный, при помощи которого можно получать объемную плазму и перемещать ее в камере.
Компания Intel объявила о создании первого в мире трехмерного транзистора с шириной затвора 22 нм.
